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漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏极电流Id(on)(A)：

20

驱动电压(V)：

10

通道极（jí）性：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述（shù）：

650V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结技术的（de）功率MOSFET


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