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漏（lòu）源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通（tōng）电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

70

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

74

最大漏极电（diàn）流（liú）Id(on)(A)：

47

通道极（jí）性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述：

650V,74mΩ,47A,N沟道基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET


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