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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

75

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

90

最（zuì）大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

40

通道极性（xìng）：

N沟道

封装（zhuāng）/温度（dù）(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述：

600V,90mΩ,40A,N沟道基于超级（jí）结技术的功率（lǜ）MOSFET


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