开云登陆入口-开云(中国)

漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

47

通道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述（shù）：

650V,70mΩ,47A,N沟道基于超级结技术（shù）的功率MOSFET


开云登陆入口-开云(中国)

开云登陆入口-开云(中国)