开云登陆入口-开云(中国)

漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

115

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

150

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

24

通道极（jí）性：

N沟（gōu）道

封装/温度（dù）(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,150mΩ,24A,N沟道基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET



开云登陆入口-开云(中国)

开云登陆入口-开云(中国)