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漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

177

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最（zuì）大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

20

通（tōng）道极性：

N沟（gōu）道

封装/温度(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述：

650V,190mΩ,20A,N沟道基（jī）于（yú）超级结技术的（de）功率MOSFET


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