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漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大漏极电流Id(on)(A)：

47

通道极性（xìng）：

N沟道

封（fēng）装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,70mΩ,47A,N沟道基（jī）于超级结技术的功率MOSFET



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