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漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

700

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

380

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

430

最（zuì）大漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)：

11

通道极性：

N沟道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

700V,430mΩ,11A,N沟道基于超（chāo）级结技（jì）术的功率MOSFET


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