开云登陆入口-开云(中国)

漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

250

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

290

最大漏极电流Id(on)(A)：

15

通道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

650V,290mΩ,15A,N沟道基于超级（jí）结技术的（de）功率MOSFET


开云登陆入口-开云(中国)

开云登陆入口-开云(中国)