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漏（lòu）源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏极电流Id(on)(A)：

20

通道极（jí）性：

N沟道

封装/温度(℃)：

PDFN8*8/-55~125

描述：

650V,190mΩ,20A,N沟道（dào）基（jī）于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET


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