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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

250

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

290

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

15

通（tōng）道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-252-2L/-55~125

描（miáo）述：

650V,290mΩ,15A,N沟道基于超级（jí）结技术（shù）的功（gōng）率MOSFET


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