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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

550

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

530

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

580

最（zuì）大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

8

通道极（jí）性：

N沟道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

550V,580mΩ,8A,N沟（gōu）道基（jī）于（yú）超级结技术的功率MOSFET


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