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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

110

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

130

最大（dà）漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)：

30

通（tōng）道极性：

N沟（gōu）道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,130mΩ,30A,N沟道基于超（chāo）级结技术的功率MOSFET


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