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产品(pǐn)中心
漏(lòu)源(yuán)电压BV DSS (V)(Min.): | 650 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 480 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 600 |
最大漏极电流Id(on)(A): | 7 |
通道(dào)极性(xìng): | N沟道 |
封装/温度(℃): | SOT-223-2L/-55~125 |
描述(shù): | 650V,600mΩ,7A,N沟道基于超(chāo)级结技(jì)术(shù)的(de)功率MOSFET |
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