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漏（lòu）源电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

700

导通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

850

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

5

通道极性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述（shù）：

650V,850mΩ,5A,N沟道基于超（chāo）级（jí）结（jié）技（jì）术的功率MOSFET



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