开云登陆入口-开云(中国)

漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

700

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

380

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

430

最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

11

通（tōng）道（dào）极性：

N沟道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述（shù）：

700V,430mΩ,11A,N沟道基于超（chāo）级（jí）结技术的功率MOSFET


开云登陆入口-开云(中国)

开云登陆入口-开云(中国)