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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最大（dà）漏极电流（liú）Id(on)(A)：

7

通道极性：

N沟（gōu）道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-251-3L(IPAK)/-55~125

描述：

650V,600mΩ,7A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET



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