开云登陆入口-开云(中国)

漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

550

导通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏极电流Id(on)(A)：

20

通道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

550V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


开云登陆入口-开云(中国)

开云登陆入口-开云(中国)